转自：财联社
《科创板日报》9月28日讯(记者 郭辉)长鑫科技宣布新的研发及扩产项目投资。
长鑫科技9月28日晚间发布公告，拟使用超募资金人民币130亿元，投资新建技术研发项目；同时该公司拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司(下称“长鑫产品合肥”)提供超募资金人民币50亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品(合肥)有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。
元股证券:ygzq.hk其中，技术研发项目的规划总投资金额达241亿元，建设周期30个月；后道测试基地二期项目的规划总投资额为108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。
因此，该公司拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，有利于公司更快的推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。
测试作为DRAM生产中不可或缺的关键环节，因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。
长鑫科技表示，为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善 IDM 模式、增强公司的整体竞争力。
据了解，长鑫科技科创板IPO募集资金净额为人民币663亿元。公司上市前拟募资金额为295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。
长鑫科技通过跳代研发加快技术创新，完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从 DDR4、LPDDR4X 到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和代际演进。
持牌股票配资平台目前长鑫科技核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。
其中长鑫科技第五代工艺技术平台在今年9月宣布正式实现量产。据了解，通过四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅(HKMG)工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。
长鑫科技LPDDR6研发及导入进展同样取得了突破。
今年8月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。长鑫LPDDR6芯片性能较上一代 LPDDR5X实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。这也是全球LPDDR6产品首次落地商用。
经过多年发展，长鑫科技已在DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了完善的核心技术体系，形成了全面的自主知识产权积累，并在技术快速迭代和产业化方面积累了丰富的经验。
长鑫科技表示，通过此前的产业链深化合作，增强了供应链的安全保障能力，将为本次超募项目的顺利实施提供了充分保障，并为公司产能持续扩充和技术工艺升级提供了有力支撑。
(科创板日报记者 郭辉)展博优配
实力配资服务网提示：本文来自互联网，不代表本网站观点。
